Investigation of absorber and heterojunction in the pure sulphide kesterite

This paper aims to study the properties of absorber layer and heterojunction in kesterite solar cells. The Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin films were layered on a glass substrate from colloidal solution metal salts thiourea dissolved mixture water ethanol deposited by spin coating technique. samples then heat treated furnace, presence sulphur powder under nitrogen gas flow. results revealed formation homogeneous layers pure phase CZTS crystallites after treatment with correct stoichiometry oxidation states. optical transmission measurements indicate an energy band-gap 1.4 eV absorption coefficient 104 cm?1. These films, elaborated process, integrated for electronic evaluation following configuration: SnO2:F (FTO) Molybdenum as back contact, CdS tampon film layer. band alignment at CdS–CZTS indicates cliff-like conduction offset (CBO) even close be flat band. Este trabajo tiene como objetivo estudiar las propiedades de la capa absorbente y heterojunción en células solares kesterita. Las finas películas fueron colocadas capas sobre un sustrato vidrio partir una solución coloidal sales metálicas tiourea disueltas mezcla agua etanol, depositadas mediante técnica revestimiento por centrifugado. A continuación muestras se trataron térmicamente horno, presencia polvo azufre bajo flujo nitrógeno. Los resultados revelaron formación homogéneas fase kesterita pura los cristales después del tratamiento térmico con estequiometría estados oxidación correctos. mediciones transmisión óptica indican brecha banda energía 1,4 coeficiente absorción Estas delgadas CZTS, elaboradas el proceso espín, integraron para evaluación electrónicas siguiente configuración: SnO2: F molibdeno contacto posterior, tampón película absorbente. La alineación CdS-CZTS indica desplazamiento conducción similar al acantilado, incluso cerca ser plana.